简述IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。
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简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。
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在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。
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（）是融合了IGBT与GTO优点的一种新型电力电子器件。
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GTR、IGBT等过流保护中，为何要采用检测集射极电压作为保护基准？
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GTR、P-MOSFET、IGBT吸收电路的基本结构如何？其减少被保护器件开关损耗的机理如何？
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在电机驱动用的电力电子电路中，全控型的GTO之类的开关往往和电力二极管配合使用，其主要目的是为了保护全控开关。
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GTO一种全控型电力电子器件。
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下列选项中，（）不是常用的电力晶体管（GTR）。
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