反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：（）击穿和（）击穿。
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当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（）。
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温度升高，晶体管的电流放大系数β（），反向饱和电流ICBO（）正向结电压uBE（）。
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PN结反向偏置时，PN结的内电场（）。PN具有（）特性。
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PN结具有单向导电性，可通过在PN结两端加正向或反向电压来证实。（）
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光电二极管的PN结工作在反偏状态，它的反向电流会随光照强度的增加而（）。
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稳压二极管的反向击穿电压越大越好，反向饱和电流越小越好。
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PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向（），有利于（）的（）运动而不利于（）的（）；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向（），有利于（）的（）运动而不利于（）的（），这种情况下的电流称为（）电流。
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由于有漏电电流流动，使所谓的反向饱和电流密度（），从而减少了开路电压。
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