PN结正偏的特性是（）。

当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区。

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晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。

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用万用表R×100档测量三极管c、e极间PN结正、反向电阻均很大，说明（）。

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稳压二极管是利用PN结反向击穿的特性，运用特殊的工艺方法制成的。

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PN结具有（）特性。

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锗管的正偏导通电压为（）伏左右。

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（）是工作在反偏状态，由PN结电容的变化而工作。

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PN结外加反向电压，电流值与外加电压的大小的关系是（）。

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晶体二极管整流电路是利用PN结的单向导电性来实现整流的。

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