P型半导体是本征硅（Si）内掺入微量的五价元素磷（P）制成的。

本征半导体中如果掺入微量的五价元素，即可形成N型半导体。

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本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）；若掺入微量的三价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）。

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在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成N型半导体。

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P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。

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P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。

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本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是（），少数载流子应是（）。

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本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是（），掺杂越多，则其数量一定越（），相反，少数载流子应是（），掺杂越多，则其数量一定越（）。

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P型半导体的多子为（）、N型半导体的多子为（）、本征半导体的载流子为（）。

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P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。

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