本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是（），少数载流子应是（）。

本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是（），掺杂越多，则其数量一定越（），相反，少数载流子应是（），掺杂越多，则其数量一定越（）。

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本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）；若掺入微量的三价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）。

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P型半导体是本征硅（Si）内掺入微量的五价元素磷（P）制成的。

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在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成N型半导体。

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本征半导体中如果掺入微量的五价元素，即可形成N型半导体。

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室温下，本征锗的电阻率为47Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每106个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022cm-3，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn=3600cm2/V·s， 且认为不随掺杂而变化。ni=2.5×1013cm3。

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半导体中有（）和（）两种载流子，在本征半导体中掺着（）阶元素，可形成P型半导体。

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在N型半导体中，掺入（）价杂质元素。

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在纯净半导体中，掺入三价元素，就会形成（）型半导体，如掺入五价元素，就会形成（）型半导体。

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