在饱和与过饱和温度曲线上，无晶体析出的区域是（）。

在饱和与过饱和温度曲线上，结晶二次成核出现在（）。

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纯净的过饱和溶液可维持在一定的（）范围内无晶体析出的状态称为（）。

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在过饱和溶液中，晶体能自发地析出。

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从理论上解释为何溶液浓度必须达到一定过饱和度时才能析出晶体？

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晶体管的直流特性曲线可以分为三个区域：放大区，饱和区，（）。

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铝饱和指数（ACNK）与过铝质系列

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一般（）有机物在溶剂中的溶解度随温度的变化而改变。温度（）溶解度（），反之则溶解度（）。热的饱和溶液，降低温度，溶解度下降，溶液变成（）而析出结晶。利用溶剂对被提纯化合物及杂质的溶解度的不同，以达到分离纯化的目的。

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温度升高，晶体管的电流放大系数β（），反向饱和电流ICBO（）正向结电压uBE（）。

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从电路原理受控源的角度本质上看，工作在饱和区的MOS晶体管本质等效为电压控制电流源。

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