85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。
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CZ直拉法的目的是（）。
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影响CZ直拉法的两个主要参数是（）和（）。
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CZ直拉法是按照在20世纪90年代初期它的发明者的名字来命名的。
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生产多晶硅带的方法主要有定边喂膜法、蹼状枝晶法、绳带法和模板生长法，其中产出率最高的方法为（）
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单晶硅生长常用（）和（）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（）。
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在单晶硅表面制作绒面时，常用的各向异性腐蚀剂有有机腐蚀剂和（），并且被腐蚀的单晶硅表面为100晶面时，可形成金字塔方椎形状，腐蚀后方椎高度一般为3～6μm。
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工业中单晶硅的制备方法主要有（）和区熔法（FZ法）
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铸造技术为何能提高多晶硅纯度；制备铸造多晶硅的工艺流程；描述直培法工艺；影响直培法制备柱形多晶硅的因素。
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