在FCC晶格中存在一个位错，其位错线的方向用晶向指数表示为[112]，该位错滑移的方

位错线的运动方向总是垂直于位错线。

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位错线的运动方向总是垂直垂直于位错线。

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实际金属中存在有（）、（）和（）三类缺陷，位错属于（）缺陷。

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某滑移面上一个位错源开动释放出的位错在晶界处形成位错塞积群对该位错源的开动有何影响，为什么？

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已知铜晶体的切变模量G=4×1010Nm-2，位错的柏氏矢量等于原子间距，b=2.0×10-10m，取α=0.75，计算： （1）单位长度位错线的应变能。 （2）单位体积的严重变形铜晶体内部存储的位错应变能。（设位错密度为1010m/cm3）

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实际晶体中主要存在三类缺陷，其中点缺陷有（）和（）等，线缺陷有位错，面缺陷有亚晶界等。

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金属中的位错密度越（），则其强度越（），塑性越（）。

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金属中的位错密度越高，则其强度越（），塑性越（）。

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位错运动方向处处垂直于位错线，在运动中是可变的，晶体做相对滑动的方向（）

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