某晶体管的集电极的最大允许耗散功率PCM=500mW,集电极最大允许电流ICM=500mA,在实际应用线路中测得它的集电极电流IC=100mA,UCE=6V,其后果为()
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某晶体管的极限参数PCM=150mW,ICM=100mA,U(BR)CEO=30V。若它的工作电压UCE=10V,则工作电流不得超过()mA;若工作电压UCE=1V,则工作电流不得超过()mA;若工作电流IC=1mA,则工作电压不得超过()V。
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当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic变大,发射结压降()。
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已知某晶体管的转移特性,其转移导纳g=10mA/V,Uj=0.6V,Eb=-1V,激励信号电压幅值Ubm=3.2V,求电流ic的ic0,ic1m,i2mc分量的值及ic1m,ic2m。(α0(60o)=0.21,α1(60°)=0.39,α2(60°)=0.28)
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某工作在放大状态的三极管,当基极电流由60μA降低到40μA时,集电极电流由2.3mA降低到1.5mA,则此三极管的动态电流放大系数为()。
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电路如图所示,晶体管T的输出特性如图所示,已知Ucc=20V,Rc=0.5kΩ,晶体管工作在Q点时的IB=200,要求: (1)试计算偏置电阻RB,此时的电流放大系数β,晶体管的集射极电压降UCE。(设UCE=0.6V); (2)若电路中其他参数不变,仅仅改变偏置电阻RB,试将集电极电流IC和集射极电压降UCE的关系曲线画在输出特性上。
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某一晶体管谐振功率放大器,已知Vcc=24V,IC0=250mA,P0=5W,电压利用系数ζ=1,求Pdc,ηc,Rp,IC1。
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当温度升高时三极管的集电极电流IC(),电流放大系数β()。
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三极管的集电极电流IC与基极电流IB的关系是()
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