在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）。

在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称（）效应；入射光强改变物质导电率的现象称（）效应；半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称（）效应。

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在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为（）。

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在光线作用下使材料内部电阻率改变现象叫（）效应，这类元件有（）。

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在光线作用下，电子从物体表面逸出的物理现象，称为外光电效应，也称光电发射效应。

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外光电效应即在光线作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象。

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光电效应是指在光线作用下，受光照的物体的导电率发生变化或产生光电电动势的现象。

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光生伏特效应是指在光线作用下物体产生一定方向的电动势的现象，利用该效应可制成各类光电池。

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导体或半导体材料在外界力的作用下，会产生机械变形，其电阻值也将随着发生变化，这种现象称为应变效应。应变片传感器由电阻应变片和（）两部分组成。

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（1）试证明在室温下，当半导体的电子浓度时，其电导率为最小值，求在上述条件下的空穴浓度。 （2）当ni=2.5×1013/cm3，μp=1900cm2/v˙s，μn=3800cm2/v˙s，求其本征电导率和电波电导率。 （3）当n0和p0为何值时，电导率等于本征电导率。

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