A对
B错
在多晶体中,晶界是原子(离子)快速扩散的通道,并容易引起杂质原子(离子)偏聚,同时也使晶界处熔点()晶粒;晶界上原子排列混乱,存在着许多空位、位错和键变形等缺陷,使之处于应力畸变状态。
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实际晶体中主要存在三类缺陷,其中点缺陷有()和()等,线缺陷有位错,面缺陷有亚晶界等。
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获得高能量的原子离开原来的平衡位置,进入其它空位或迁移至晶界或表面,形成()空位。如果离位原子进入晶体间隙,形成()空位。
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层错和不完全位错之间的关系是()
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堆垛层错
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晶界有小角度晶界与大角度晶界之分,大角度晶界能用位错的阵列来描述吗?
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位错是()缺陷、晶界是()缺陷。
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某滑移面上一个位错源开动释放出的位错在晶界处形成位错塞积群对该位错源的开动有何影响,为什么?
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因晶粒细化,造成晶界面积增加,阻碍了位错的运动造成强化称为()
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