说明静态RAM的R/W操作步骤。

1读操作步骤是：
（1）在读/写线（R/W）上加上读的状态（高电平）；
（2）将要读的存储字地址送地址线（A0～A6）；
（3）以相应的芯选电平分别加至所有的芯选线上，使允许操作；
（4）经过一段延迟时间后，要读的字从数据线上输出。
2写操作的步骤是：
（1）将要写的单元的地址加至地址线；
（2）将相应的芯选电电平加至各芯选线，使允许操作；
（3）加一负脉冲至R/W线（写状态）；
（4）将要写入的数据送数据线。

略