说明动态读/写存储器的操作步骤。

动态RAM读操作的步骤如下：
（1）在地址线上加所读字的地址并使之稳定。
（2）通过“预充电”线使芯片预充电。
（3）R/W线置成该状态。在写操作之后至地址线改变之前要有足够时间，让R/W线回到读状态。
（4）在启动“予充电”线的同时，使芯片启动线CS有效，予充电与芯选启动线在时间上必须严格控制。写操作比读操作要多加一步：
（5）在芯片启动的同时，要求R/W线上加写脉冲，在数据线加所写的数据。

略