N沟道MOSFET管的导通条件是（）。
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锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
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为了保证三极管的电流放大，一方面要满足内部条件即基区搀杂少厚度小，另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、集电结反向偏置。
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型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。
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在开关电源中，（）电路控制开关管的导通或截止时间，使其输出电压最终稳定。
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脉宽调制式（PWM）开关型稳压电路是在保持脉冲频率不变而改变调整管的导通时间来实现稳压的。
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测量双向晶闸管的G极和T极时，应使用万用表的Rx10Q挡。
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当双向晶闸管的G极和T2极相对于乃极的电压均为正时，则（）。
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构成一个全加器应由两个半加器和一个（）
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