在多晶体中,晶界是原子(离子)快速扩散的通道,并容易引起杂质原子(离子)偏聚,同时也使晶界处熔点()晶粒;晶界上原子排列混乱,存在着许多空位、位错和键变形等缺陷,使之处于应力畸变状态。
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金属经冷塑性变形后,位错密度增加,强度(),塑性 降低
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位错的()是指在热缺陷的作用下,位错在垂直滑移方向的运动,结果导致空位或间隙原子的增值或减少。
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空位、小角晶界、螺位错、堆垛层错都是晶体中的线缺陷。
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简述晶体中产生位错的主要来源。
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实际金属中存在有()、()和()三类缺陷,位错属于()缺陷。
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位错是实际金属晶体的一种面缺陷。
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说明金属在冷变形、回复、再结晶及晶粒长大四个阶段的行为与表现,并说明各阶段促使这些晶体缺陷运动的驱动力是什么。
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经过大量塑性变形后,由于位错密度增大和发生交互作用,位错分布不均,并使晶粒分化成许多位向略有差异的亚晶块,称为()。
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