晶体结构中的缺陷在温度为（）时才能生成。

在书写晶体结构缺陷符号时，上标为•表示带（）个电荷。

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在书写晶体结构缺陷符号时，上标’’表示带（）个电荷。

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晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而（）。

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（a）在MgO晶体中，肖特基缺陷的生成能为6ev，计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。（b）如果MgO晶体中，含有百万分之一mol的Al2O3杂质，则在1600℃时，MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势？说明原因。

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在书写晶体结构缺陷符号时，上标不写表示带（）个电荷。

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晶体结构中的点缺陷类型共分（）、（）和（） 三种，CaCl2中Ca2+进入到KCl间隙中而形成点缺陷的反应式为（）。

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对某晶体的缺陷测定生成能为84KJ/mol，计算该晶体在1000K和1500K时的缺陷浓度。

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晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而增加，其变化规律是（）。

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热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottkydefect）时，（）。

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