解释重掺杂半导体使禁带变窄的原因。
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掺杂半导体中影响电子电导率的主要因素是（）、（）、和（）。
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试分析、阐述导体、半导体（本征、掺杂）和绝缘体的能带结构特点。
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半导体工艺技术的主要掺杂工艺包括哪两种？
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当温度达到一定时，N型半导体全部掺杂原子均离子化时，称为（）。
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当温度达到一定时，P型半导体全部掺杂原子均离子化时，称为耗竭。
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半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）
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对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni>>/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。
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轻掺杂漏（LDD）
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