禁带变窄
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如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。
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半导体掺杂
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掺杂半导体中影响电子电导率的主要因素是（）、（）、和（）。
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试分析、阐述导体、半导体（本征、掺杂）和绝缘体的能带结构特点。
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半导体工艺技术的主要掺杂工艺包括哪两种？
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当温度达到一定时，N型半导体全部掺杂原子均离子化时，称为（）。
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当温度达到一定时，P型半导体全部掺杂原子均离子化时，称为耗竭。
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半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）
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