判断题

DRAM芯片的读写速度比SRAM芯片慢。()

A

B

正确答案

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答案解析

相似试题
  • 以下关于DRAM芯片与SRAM芯片的特性比较中,正确的是()。

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  • FPM DRAM芯片中的快页读写方式就是猝发传送方式。

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  • 主存储器在物理结构上由若干插在主板上的内存条组成。目前,内存条上的芯片一般选用DRAM而不采用SRAM。()

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  • 用64K×1位的DRAM芯片构成256K×8位的存储器。要求: (1)计算所需芯片数,并画出该存储器的逻辑框图。 (2)若采用异步刷新方式,每单元刷新间隔不超过2ms,则产生刷新信号的间隔是多少时间?若采用集中刷新方式,则存储器刷新一遍最少用多少读写周期?

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  • 用2K×8的SRAM芯片组成32K×16的存储器,共需SRAM芯片()片,产生片选信号的地址需要()位。

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  • 存储系统每次给DRAM芯片提供刷新地址,被选中的芯片上所有单元都刷新一遍。

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  • 存储系统的刷新地址提供给所有DRAM芯片。

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  • 有一SRAM芯片,地址引脚有10根,数据引脚有4根,该芯片容量是()

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  • 用2k×8的SRAM芯片组成16K×16的存储器,共需SRAM芯片()片,片内地址和产生片选信号的地址分别为()位和()位。

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