晶体缺陷的共同之处是它们都能引起晶格畸变。
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在多晶体中,晶界是原子(离子)快速扩散的通道,并容易引起杂质原子(离子)偏聚,同时也使晶界处熔点()晶粒;晶界上原子排列混乱,存在着许多空位、位错和键变形等缺陷,使之处于应力畸变状态。
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怎样理解扩散原子对基体造成的晶格畸变越大,扩散则越容易。()
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由于溶质原子进入溶剂晶格的间隙或结点,使晶格发生畸变,使固溶体硬度和强度升高,这种现象称为()。
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由于晶体缺陷处点阵畸变较大,原子处于较高的能量状态,易于跃迁,故扩散激活能较小。
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当晶体的温度高于绝对0K时,由于晶体内原子热震动,使一部分能量较大的原子离开平衡位置造成的缺陷称为()
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在晶体缺陷理论中外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质,这种杂质原子如果取代原来晶体中的原子而进入正常结点的位置称为()
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对一维晶体,其晶格振动仅存在()波,而二、三维晶体振动既有()波,又有()波。
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高分子的晶格缺陷是由什么原因造成的?为什么高分子具有更多的晶格缺陷?
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