迁移率反映的是载流子（）在单位电场作用下的平均漂移速度。
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在室温下，高纯锗的电子迁移率μn=3900cm2/v˙s，设电子的有效质量为mn=3×10-29g，求： （1）热运动速度平均值 （2）平均自由时间 （3）平均自由路程 （4）在外加电场为10/Vcm时的漂移速度
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假定一个PIN光电二极管的耗尽层宽度为30um，载流子的漂移速度为5×104m/s，结电容为6pF。 （a）计算渡越时间限制带宽。 （b）不影响上面计算所得带宽的最大负载电阻是多少？ （c）当负载电阻为10000Ω时，其带宽为多大？
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准经典近似下，金属中电子漂移速度为。设ε=ε0eiωt，求在频率ω下的金属电导率。
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解释名词零点漂移并叙述差分式电路抑制零点漂移的工作原理。
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多级直接耦合放大电路中，影响零点漂移最严重的一级是（），零点漂移最大的一级是（）。
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漂移是指测试系统的输入未发生变化时其输出产生变化的现象。通常存在（）和灵敏度漂移两种情况。
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解决基线漂移问题的途径与实现？
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能够抑制“零点漂移”现象的放大电路是（）。
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