电介质中的迁移电子或离子在电场下移动，积聚在电极附近的介质界面上，形成空间电荷，称为（）

当正离子在电场力的作用下，高速撞击阴极，或自由电子高速撞击阳极，可使金属表面发射电子，这个过程称（）发射。

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在外电场作用下，电介质中的正、负电荷沿电场方向作有限位移或转向，形成电矩的现象叫极化。

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在电场力的作用下，阳离子向电解槽的（）移动，阴离子向电解槽的（）移动，虽然两种离子移动方向相反，但（）一致。

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因离子在电场作用下可以定向移动，所以测定电解质溶液的电导率时要用直流电桥。 

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六氟化硫分子体积（），容易捕获电子并吸收其能量，生成低活动性的稳定负离子，在电场力的作用下，其自由程（），运动速度（），复合过程（）。

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在室温下，高纯锗的电子迁移率μn=3900cm2/v˙s，设电子的有效质量为mn=3×10-29g，求： （1）热运动速度平均值  （2）平均自由时间 （3）平均自由路程  （4）在外加电场为10/Vcm时的漂移速度

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直流电压作用下流过绝缘介质的电流，（）是由于介质的偶极子在直流电压电场的作用下发生缓慢转动而引起的偶极子极化电流，以及由不同介质或介质的不均匀引起的夹层式极化电流。

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迁移率反映的是载流子（）在单位电场作用下的平均漂移速度。

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用界面移动法测定H+的电迁移率（淌度），历时760s，界面移动了4.0cm。已知迁移管两极之间的距离为9.6cm，电位差为16V，设电场是均匀的。试求H+的电迁移率。

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