晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是（）、（）、（）。

晶体管的直流特性曲线可以分为三个区域：放大区，饱和区，（）。

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由晶体三极管的输出特性曲线可知，晶体三极管有（）个工作区域。

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晶体管的直流特性（）是指晶体管的输入和输出电流-电压关系曲线。

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晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的（）。

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双极型三极管输出特性的三个区域分别是（）区、（）区、（）区。

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在视频信号的传输中，通常要考虑（）的输出阻抗，（）的特性阻抗和（）的输入阻抗，这三个量需要完全匹配。

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MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的（）、前者的饱和区对应后者的（）、前者的非饱和区对应后者的（）。

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电路如图所示，晶体管T的输出特性如图所示，已知Ucc=20V，Rc=0.5kΩ，晶体管工作在Q点时的IB=200，要求： （1）试计算偏置电阻RB，此时的电流放大系数β，晶体管的集射极电压降UCE。（设UCE=0.6V）； （2）若电路中其他参数不变，仅仅改变偏置电阻RB，试将集电极电流IC和集射极电压降UCE的关系曲线画在输出特性上。

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放大电路及晶体管输出特性曲线如下图的图1和图2所示，UBE忽略不计，要求：  （1）欲使Ic=2mA，则RB应调至多大阻值？  （2）若ib=0.02sinωtmA，试画出iC，uCE和u0随时间t变化的波形图。

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