如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。

硅与金刚石的能带结构相似，只是禁带宽度不同，金刚石的禁带宽度为5.33eV，硅的禁带宽度为1.14eV。试求它们能吸收辐射的最大波长各是多少？

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以在Ge半导体掺入As为例，简述为什么类氢杂质能级的施主能级位于导带附近？

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本征半导体硅的禁带宽度是1.14eV，它能吸收的辐射的最大波长为（）。（普朗克恒量h＝6.63×10-34J·s，1eV＝1.6×10-19J）

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p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。

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在火星轨道与木星轨道之间，存在一个小行星带。目前发现这个带中有（）。

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解释重掺杂半导体使禁带变窄的原因。

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试按能级生成理论解释半导体气敏陶瓷的导电机理。

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表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（）；

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设电子在无限深势阱中运动，势阱为： 求波函数和束缚态能级。

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