如图,两块位于x=0和x=d处无限大导体平板的电位分别为0、U0,其内部充满体密度的电荷(设内部介电常数为ε0)。 (1)利用直接积分法计算 (2)x=0处导体平板的表面电荷密度。
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已知半径为R0球面内外为真空,电场强度分布为 求(1)常数B;(2)球面上的面电荷密度;(3)球面内外的体电荷密度。
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某光栅条纹密度为每lmm刻100条,光栅条纹的夹角为0.005弧度,则莫尔条纹的宽度W为()
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一个很薄的无限大导电带电面,电荷面密度为σ。证明垂直于平面的z轴上z=z0处的电场强度E中,有一半是有平面上半径为√3z0的圆内的电荷产生的。
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设无限长直线均匀分布有电荷,已知电荷密度为ρι如图所示,求 (1)空间任一点处的电场强度; (2)画出其电力线,并标出其方向。
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如图所示,有两无限大的荷电平面,其面电荷密度分别为ρs和-ρs,两平面的间距为d,求空间三个区域内的电场分布。
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已知方位N67.5°W,磁偏角为5.5W,则真方位值为()。
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设真空中电荷量为q的点电荷以速度v(v.c)向正z方向匀速运动,在t=0时刻经过坐标原点,计算任一点位移电流密度(不考虑滞后效应)。
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正平线的V面投影为(),H面投影为(),W面投影为()。
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