常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。

CIS的禁带宽度为（），是与太阳能电池最适宜的禁带宽度1.4ev偏小的值

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已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4μm，则该材料的禁带宽度为（）。

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GaAs以及InP的禁带宽度分别为（）；（），与高效率最适合的1.4ev~1.5ev相近。

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为了实现光电转换效率高的太阳能电池，太阳光谱的整合是必要的，太阳能电池材料的禁带宽度Eg为（）左右，认为是最合适的，Eg为（）的GaAS及1.35ev的InP等应该是合适的。

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磷化镓的禁带宽度Eg=2.26eV，相对介电常数εr=11.1，空穴的有效质量mp*=0.86m0，m0为电子的惯性质量，求 ①受主杂质电离能； ②受主束缚的空穴的基态轨道半径。

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锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数εr=17，电子的有效质量mn*=0.015m0， m0为电子的惯性质量，求 ①施主杂质的电离能 ②施主的弱束缚电子基态轨道半径。

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锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数εr=17，电子的有效质量m*n=0.015m0，m0为电子的惯性质量，求 ①施主杂质的电离能， ②施主的弱束缚电子基态轨道半径。

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材料的禁带宽度，最大的是（）

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氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（）；在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（）。

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