材料的禁带宽度，最大的是（）

发光二极管辐射光的峰值波长与材料的禁带宽度Eg无关。

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已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4μm，则该材料的禁带宽度为（）。

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CIS的禁带宽度为（），是与太阳能电池最适宜的禁带宽度1.4ev偏小的值

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氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（）；在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（）。

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试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。

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常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。

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为了实现光电转换效率高的太阳能电池，太阳光谱的整合是必要的，太阳能电池材料的禁带宽度Eg为（）左右，认为是最合适的，Eg为（）的GaAS及1.35ev的InP等应该是合适的。

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GaAs以及InP的禁带宽度分别为（）；（），与高效率最适合的1.4ev~1.5ev相近。

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通过采用MQW结构，电流值可用（）和（）控制，电压可用本体上的禁带宽度控制，因此即使是单电池片，其转换效率也有望达到40%。

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