如果晶体二极管的正、反向电阻都很大，则该晶体二极管（）。

一个二极管的正反向电阻都较小，则该二极管可能（）。

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硅二极管的正向导通电压一般是（）V。

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二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。

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下列参数中，表示二极管最大反向工作电流参数的是（）。

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二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。

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晶体二极管的阳极电位是-20V，阴极电位是10V，则该二极管处于（）。

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晶体二极管具有（）导电的特性，即（）电阻小，（）电阻大的特点。

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晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。

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电阻的单线分段反向绕法在绕成后电阻线的头尾分别扎在（）两端并向外引出。

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