硅二极管的正向导通电压一般是（）V。

晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。

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晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。

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硅整流二极管的额定电流是指（）。

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硅整流二极管的额定电压是指（）。

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一个二极管的正反向电阻都较小，则该二极管可能（）。

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如果晶体二极管的正、反向电阻都很大，则该晶体二极管（）。

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晶体二极管的阳极电位是-20V，阴极电位是10V，则该二极管处于（）。

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硅NPN型的三极管如果它工作于饱和状态，那么，它一定具有以下特征：（）。

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半导体二极管具有显著的单向导电性，外加正向电压时，锗二极管的死区电压一般为（）。

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