64K*1位的DRAM芯片通常有（）条地址线引脚。

64K*1位的EPROM芯片通常有（）地址线引脚

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用16K×1位的DRAM芯片组成64K×8位的存储器，要求画出该存储器组成的逻辑框图。

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有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？

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用16K x 1位的DRAM芯片组成64K x 8位的存储器，要求画出该存储器组成的逻辑框图。

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用64K×1位的DRAM芯片构成256K×8位的存储器。要求： （1）计算所需芯片数，并画出该存储器的逻辑框图。 （2）若采用异步刷新方式，每单元刷新间隔不超过2ms，则产生刷新信号的间隔是多少时间？若采用集中刷新方式，则存储器刷新一遍最少用多少读写周期？

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有一个1024K×32位的存储器，由128K×8位的DRAM构成。问：（1）总共需要多少DRAM芯片？（2）采用异步刷新，如果单元刷新间隔不超过8ms，则刷新信号周期是多少？

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构成8086系统最大存储器容量需用（）片64K×1位的存储器芯片。

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写出下列存储器芯片（非DRAM）基本地址范围。这些芯片各需要几位地址线实现片内寻址？若要组成64KB的存储器需要几片？

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某微机系统的存储器容量为256K字节，若采用单片容量为16K*1位的SRAM芯片，则组成该存储系统共需（）个该类芯片。

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