最小电导率出现在（）型半导体。

V族杂质在硅锗中电离，故放出电子产生导电导子形成正电中心，称为（），释放电子的过程称为（）。依靠（）的半导体称为n型半导体。

填空题查看答案

本征半导体的电导率随温度升高而上升。

判断题查看答案

掺杂半导体中影响电子电导率的主要因素是（）、（）、和（）。

填空题查看答案

在一个长直圆柱形导体外面套一个与它共轴的导体长圆筒，两导体的电导率可以认为是无限大．在圆柱与圆筒之间充满电导率为γ的均匀导电物质，当在圆柱与圆筒间加上一定电压时，在长度为l的一段导体上总的径向电流为I，如题图所示．则在柱与筒之间与轴线的距离为r的点的电场强度为：（）

单选题查看答案

实验测出离子型电导体的电导率与温度的相关数据，经数学回归分析得出关系式为：

简答题查看答案

本题图中两边为电导率很大的导体，中间两层是电导率分别为σ1、σ2的均匀导电介质，其厚度分别为d1、d2，导体的截面积为S，通过导体的恒定电流为I，求： （1）两层导电介质中的场强E1和E2； （2）电势差UAB和UBC。

简答题查看答案

在非线性元件的伏安特性研究中，N型半导体和P型半导体中，多数载流子分别是（）

单选题查看答案

图中所示是一根很长的长直圆管形导体的横截面，内、外半径分别为a，b，导体内载有沿轴线方向的电流I，且I均匀地分布在管的横截面上。设导体的磁导率μ≈μ0，试证明导体内部各点）（a

简答题查看答案

p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。

单选题查看答案