自由空间的电位函数，则点P（-4，3，6）处的电场强度=（）。

通过解电位的泊松方程和拉普拉斯方程，确定球形电子云内部和外部的电位和电场。已知电子云内部区域，有均匀的体电荷密度p=p0；在电子云外部区域r>b中，p=0。（由于电荷分布的球对称性，在球坐标中，电位仅是r的函数）

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函数F（A，B，C，D）=∑m（1，3，4，6，8，10），它的卡诺图如下图所示。函数的最简与或表达式F=（）。

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逻辑函数F（A，B，C）=∑m（1，2，3，6）；G（A，B，C）= ∑m（0，2，3，4，5，7）则F和G相“与”的结果是（）

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室温下，施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=1019cm-3，k0T=0.026eV，ln1000=6.9。

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室温下，施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=1019cm-3，k0T=0.026eV，ln1000=6.9。

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室温下，施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=1019cm-3，k0T=0.026eV，ln1000=6.9。

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下列物理量中，哪一组是广度性质的状态函数？ （1）. Cp，Cv，S，Hm     （2）. Um，T，P，Vm    （3）. Vm，Hm，μ，U    （4）. H，V，U，G

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室温下，施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=1019cm-3，k0T=0.026eV，ln1000=6.9。

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3个p轨道的能量、形状和大小都相同，不同的是在空间的取向。

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