试述DRAM刷新过程和正常读/写过程的区别。
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试述DRAM刷新过程和正常读/写过程的区别。
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常用的刷新控制方式有：（）、（）和（）三种。
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分别说明刷新周期、刷新间隔、集中刷新和透明刷新的含义。
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用8253-5通道1作为DRAM刷新定时器，动态存储器要求在2ms内对全部128行存储单元刷新一遍，假定计数用的时钟频率为2MHz，问该通道应工作在什么方式？请写出控制字和计数值（用16进制数表示）。
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用8253-5通道1作为DRAM刷新定时器，动态存储器要求在2ms内对全部128行存储单元刷新一遍，假定计数用的时钟频率为2MHz，问该通道应该工作在什么方式？请写出控制字和计数值（用16进制数表示）。
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动态RAM为什么要进行刷新？刷新过程和读操作比较有什么差别？
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一个8K×8位的动态RAM芯片，其内部结构排列成256×256形式，存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少？
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静态RAM和动态RAM的存储元件分别是什么？动态RAM为什么需要刷新？进行刷新需要外部提供什么条件？
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