射极跟随器具有(),(),(),等三个特点。
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MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的()、前者的饱和区对应后者的()、前者的非饱和区对应后者的()。
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三极管的共射极电路输入特性曲线表示()与()之间的关系。
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三极管的输入特性曲线要求集电极-发射极之间的电压UCE为常数。
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晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示,其中每一条曲线对应一个特定的()。
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射极输出器的三个主要特点是输出电压与输入电压近似相同、()、输出电阻小。
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晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而()。共基极电路比共射极电路高频特性()。
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三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压VCE一定时,()与()之间的关系。
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当集电极与发射极间电压UCE为()时,()与()之间的关系曲线称为输入特性曲线。当()为常数时,()与()之间的关系曲线称为输出曲线。
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