通常集射极反向击穿电压应大于电源电压的（）倍。

晶闸管的反向重复峰值电压应大于它的反向击穿电压的80%。

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GTR、IGBT等过流保护中，为何要采用检测集射极电压作为保护基准？

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当加在二极管两端的反向电压大于某一值后，反向电流突然急剧增大，此时称二极管被反向击穿。

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电路如图所示，晶体管T的输出特性如图所示，已知Ucc=20V，Rc=0.5kΩ，晶体管工作在Q点时的IB=200，要求： （1）试计算偏置电阻RB，此时的电流放大系数β，晶体管的集射极电压降UCE。（设UCE=0.6V）； （2）若电路中其他参数不变，仅仅改变偏置电阻RB，试将集电极电流IC和集射极电压降UCE的关系曲线画在输出特性上。

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给太阳电池施加反向电压，在不超过击穿电压前，电池电流随着反向电压增大而（）。

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最高反向工作电压指二极管长期工作时，允许加到二极管两端的最高反向电压，一般就取反向击穿电压。（）

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在反向击穿前，二极管的反向漏电流随着反向电压的增大而（）

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稳压二极管的反向击穿电压越大越好，反向饱和电流越小越好。

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反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：（）击穿和（）击穿。

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