由4M×1位DRAM存储芯片构成8M×8位高集成度的内存条，所需该存储芯片的片数为（）

4M×1位DRAM存储芯片需要地址总线为（）条，由此种芯片构成8M×8位高集成度的内存条，所需该存储芯片的片数为（）片。

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由4M×1位存储芯片构成8M×8位的内存条，所需该存储芯片的片数为（）。

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有一个1024K×32位的存储器，由128K×8位的DRAM构成。问：（1）总共需要多少DRAM芯片？（2）采用异步刷新，如果单元刷新间隔不超过8ms，则刷新信号周期是多少？

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某机器的主存储器共32KB，由16片16K×1位（内部采用128×128存储阵列）的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式，且刷新周期为2ms，那么所有存储单元刷新一遍需要（）个存储周期。

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某DRAM芯片，其存储容量为2K×8位，该芯片的地址线和数据线数目为（）。

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某DRAM芯片，其存储容量为512K×8位，该芯片的地址线和数据线数目为（）

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有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？

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一个DRAM芯片的超单元被组织成一个4行4列的阵列，每个超单元都由8个DRAM单元组成，那么这个DRAM总共存储了（）位信息

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用64K×1位的DRAM芯片构成256K×8位的存储器。要求： （1）计算所需芯片数，并画出该存储器的逻辑框图。 （2）若采用异步刷新方式，每单元刷新间隔不超过2ms，则产生刷新信号的间隔是多少时间？若采用集中刷新方式，则存储器刷新一遍最少用多少读写周期？

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