单选题

关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）

ACl^-通道开放可降低IPSP

B多由抑制性中间神经元发放的冲动产生

CIPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化

DIPSP使神经元的兴奋性增加

EIPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K⁺和Cl^-的通透性有关

正确答案

来源：www.examk.com

答案解析

略

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关于抑制性突触后电位不正确（）
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关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（）
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抑制性突触后电位（）
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关于兴奋性突触后电位（）
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兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性（）
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关于控制性降压下述哪项是正确的是（）
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突触前抑制的特征是突触后膜（）
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既可作突触前抑制，又可作突触后抑制的递质是（）
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控制性降压后应当重点注意下述哪项因素（）
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