兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性（）
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关于抑制性突触后电位不正确（）
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关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（）
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关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）
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抑制性突触后电位（）
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中枢神经系统兴奋中，抑制性突触传递的主要递质是（）
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突触前抑制的特征是突触后膜（）
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既可作突触前抑制，又可作突触后抑制的递质是（）
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关于诱发电位哪项是不正确的（）
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