判断题
A对
B错
正确答案
答案解析
晶粒正常生长时，晶界移动受到杂质或气孔的牵制，为了利用晶界作为原子移动的快速通道， 希望气孔维持在晶界或三个晶粒的交汇点上，晶界移动速率等于气孔扩散速率，晶界在牵制气孔移动的同时，气孔作为空位源而快速向烧结体外排除。随着烧结进行，气孔率逐渐减小，气孔内气压不断提高，当内气压增至2γ/r时，即其孔内气压等于烧结推动力，烧结就停止了，继续升高温度，气孔内气压＞2γ/r，气孔膨胀而出现反致密化过程。
相似试题
粉状物料的表面能大于多晶烧结体的晶界能，这是烧结过程的推动力。（）
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再结晶晶粒长大的过程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因，晶界总是向着（）方向移动。
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在烧结过程中，只改变气孔形状而不引起坯体致密化的传质方式有（）
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在多晶材料中，如果有两种不同热膨胀系数的晶相组成，在高温烧结时，这两个相之间完全处于一种（）状态，但当它们冷却至室温时，有可能在晶界上出现裂纹，甚至使多晶破裂。
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等离子体放电烧结过程中对参数的控制包括（）、（）、升温速率、压力、保温时间。
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一般烧结过程，总伴随着气孔率的降低，（）减少，表面自由能减少及与其相联系的晶粒等变化。
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在某种材料中，某种粒子的晶界扩散系数与体积扩散系数分别为Dgb=2.00×10-10exp（-19100/T）和Dv=1.00×10-4exp（-38200/T），是求晶界扩散系数和体积扩散系数分别在什么温度范围内占优势？
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在1500℃，MgO正常的晶粒长大期间，观察到晶体在1h内从直径从1μm长大到10μm，在此条件下，要得到直径20μm的晶粒，需烧结多长时间？如已知晶界扩散活化能为60kcal/mol，试计算在1600℃下4h后晶粒的大小，为抑制晶粒长大，加入少量杂质，在1600℃下保温4h，晶粒大小又是多少？
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传热过程中，热负荷一定小于或等于换热器的传热速率。
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