杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。

在P型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。

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P型半导体中的多数载流子是（），N型半导体中的多数载流子是电子。

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半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。

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P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）

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本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是（），掺杂越多，则其数量一定越（），相反，少数载流子应是（），掺杂越多，则其数量一定越（）。

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在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。

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自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。

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本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.

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空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。

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