判断题
A对
B错
正确答案
答案解析
略
相似试题
与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）。
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设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量Ev（k）分别为： （1）禁带宽度； （2）导带底电子有效质量； （3）价带顶电子有效质量； （4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。
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设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量EV（k）分别为： 价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化
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导带忠的电子和价带忠的空穴复合时主要以（）释放能量。
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设晶格常数为a的一维晶格， 导带极小值附近的能量 价带极大值附近 式中m为电子质量，
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设晶格常数为a的一维晶格， 导带极小值附近的能量 价带极大值附近 式中m为电子质量，
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设晶格常数为a的一维晶格， 导带极小值附近的能量 价带极大值附近 式中m为电子质量，
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设晶格常数为a的一维晶格， 导带极小值附近的能量 价带极大值附近 式中m为电子质量，
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处于高能级E2的电子，在未受外界激发的情况下，自发地跃迁到低能级E1，从而发射出一个能量为hf（=E2-E1）的光子的过程称为（）
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