单选题
A辐射复合
B俄歇复合
C通过复合中心复合
D以上三种都可以
正确答案
答案解析
略
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设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量Ev（k）分别为： （1）禁带宽度； （2）导带底电子有效质量； （3）价带顶电子有效质量； （4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。
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设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量EV（k）分别为： 价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化
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与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）。
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为了使电子从价带激发到导带，入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。
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设晶格常数为a的一维晶格， 导带极小值附近的能量 价带极大值附近 式中m为电子质量，
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设晶格常数为a的一维晶格， 导带极小值附近的能量 价带极大值附近 式中m为电子质量，
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设晶格常数为a的一维晶格， 导带极小值附近的能量 价带极大值附近 式中m为电子质量，
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设晶格常数为a的一维晶格， 导带极小值附近的能量 价带极大值附近 式中m为电子质量，
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室温时半导体种的电子和空穴始终在进行着无规则的热运动。
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