判断题

工频高电压经高压硅堆半波整流产生的直流高电压,其脉动因数与试品直流泄漏电流的大小成反比,与滤波电容(含试品电容)及直流电压的大小成正比。

A

B

正确答案

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答案解析

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  • 产生直流高压的半波整流电路中,经高压硅堆V后的脉动直流经()后会减小直流电压的脉动。

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  • 产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和()。

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  • 产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定整流电流和()。

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  • 在直流耐压试验的半波整流电路中,高压硅堆的最大反向工作电压,不得低于试验电压幅值的()。

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  • 在直流耐压试验的半波整流线路中,高压硅堆的最大反向工作电压不得低于试验电压幅值的倍数为()。

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  • 采用半波整流方式进行直流耐压试验时,通常应将整流硅堆的负极接至试品高压端。

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  • 高压整流硅堆的额定反峰电压应大于整流输出直流电压的()。

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  • 直流高压试验采用高压硅堆作整流元件时,高压硅堆上的反峰电压使用值不能超过硅堆的额定反峰电压,其额定整流电流应大于工作电流,并有一定的裕度。

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