产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后的脉动直流经（）后会减小直流电压的脉动。

产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定整流电流和（）。

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产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和（）。

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在直流耐压试验的半波整流电路中，高压硅堆的最大反向工作电压，不得低于试验电压幅值的（）。

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在直流耐压试验的半波整流线路中，高压硅堆的最大反向工作电压不得低于试验电压幅值的倍数为（）。

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产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。

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工频高电压经高压硅堆半波整流产生的直流高电压，其脉动因数与试品直流泄漏电流的大小成反比，与滤波电容（含试品电容）及直流电压的大小成正比。

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采用半波整流方式进行直流耐压试验时，通常应将整流硅堆的负极接至试品高压端。

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高压整流硅堆的额定反峰电压应大于整流输出直流电压的（）。

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直流高压试验采用高压硅堆作整流元件时，高压硅堆上的反峰电压使用值不能超过硅堆的额定反峰电压，其额定整流电流应大于工作电流，并有一定的裕度。

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