晶体管的特性曲线在放大区部分近似为（）。

晶体管的直流特性曲线可以分为三个区域：放大区，饱和区，（）。

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当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门坎电压时，则晶体二极管相当于（）

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电路如图所示，晶体管T的输出特性如图所示，已知Ucc=20V，Rc=0.5kΩ，晶体管工作在Q点时的IB=200，要求： （1）试计算偏置电阻RB，此时的电流放大系数β，晶体管的集射极电压降UCE。（设UCE=0.6V）； （2）若电路中其他参数不变，仅仅改变偏置电阻RB，试将集电极电流IC和集射极电压降UCE的关系曲线画在输出特性上。

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双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结（）、集电结（）。

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放大电路及晶体管输出特性曲线如下图的图1和图2所示，UBE忽略不计，要求：  （1）欲使Ic=2mA，则RB应调至多大阻值？  （2）若ib=0.02sinωtmA，试画出iC，uCE和u0随时间t变化的波形图。

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用3DA4高频功率管装成放大器，测得fT=1MHz，β=20，额定输出功率Po=20W，晶体管输出特性曲线中饱和临界线跨导，要做成2MHz的谐振功率放大器，选定Ec=24V，θ=70°，Icmax=2.2A，α0（70°）=0.253，α1（70°）=0.436，并工作在临界状态。试计算P0，Ps，PC和ηc。

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晶体三极管具有（）放大的特性。

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测得某些电路中几个三极管各极的电位如下图所示，试判断各三极管 晶体管分别工作在截止区、放大区还是饱和区。

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设一理想化的晶体管静特性如图所示，已知Ec=24V，Uc=21V，基极偏压为零偏，Ub=3V，试作出它的动特性曲线。此功放工作在什么状态？并计算此功放的θ、P1、P0、η及负载阻抗的大小。画出满足要求的基极回路。

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