离子源是产生离子的装置。（）
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腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）
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离子注入是借其（）强行进入靶材料中的一个（）物理过程。
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腐蚀V形槽一般采用（）的湿法化学腐蚀方法。
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离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（）和（）。
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什么是离子分布的偏斜度和峭度，和标准高斯分布有什么区别？
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什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？
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离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。
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离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。
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