离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。

离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。

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离子注入是借其（）强行进入靶材料中的一个（）物理过程。

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什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？

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离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（）和（）。

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什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？

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半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。

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下图为一个典型的离子注入系统。（1）给出1~6数字标识部分的名称，简述其作用。（2）阐述部件2的工作原理。

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热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。

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离子源是产生离子的装置。（）

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