离子源是产生离子的装置。（）

离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。

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离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。

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从离子源引出的是：（）

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反应离子腐蚀是（）。

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位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错。（）

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离子注入是借其（）强行进入靶材料中的一个（）物理过程。

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离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（）和（）。

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什么是离子分布的偏斜度和峭度，和标准高斯分布有什么区别？

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什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？

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