室温下，本征锗的电阻率为47Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每10⁶个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×10²²cm^-3，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μ_n=3600cm²/V·s， 且认为不随掺杂而变化。n_i=2.5×10¹³cm³。

（1）试证明在室温下，当半导体的电子浓度时，其电导率为最小值，求在上述条件下的空穴浓度。 （2）当ni=2.5×1013/cm3，μp=1900cm2/v˙s，μn=3800cm2/v˙s，求其本征电导率和电波电导率。 （3）当n0和p0为何值时，电导率等于本征电导率。

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在室温下，高纯锗的电子迁移率μn=3900cm2/v˙s，设电子的有效质量为mn=3×10-29g，求： （1）热运动速度平均值  （2）平均自由时间 （3）平均自由路程  （4）在外加电场为10/Vcm时的漂移速度

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在掺入硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟，在室温下电阻率为2.84Ω˙cm，已知所掺硼的浓度Na1=101610/cm3，硼的电离能Ea1-Ev=0.045eV，铟的电离能Ea2-Ev=0.16eV，求样品中铟的浓度。Nv=1.04×1019/cm3，μp=200cm2/v˙s。

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金属导体的电导率可用σ＝4L/πd2R公式计算，式中L（cm）、d（cm）、R（Ω）分别为导线的长度、直径和电阻值，试分析在什么条件下σ的误差最小，对哪个参数的测量准确度要求最高。

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用万用表测量某放大电路的输入信号为3dB，输出信号为53dB，求该电路的电压放大倍数。如果负载电阻为16Ω，试计算其功率放大倍数。

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77K时，锗的电子浓度为1017cm-3，假定受主浓度为零，而Ec-ED=0.01eV，求锗中施主浓度ND为多少？

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在图示OCL电路中，已知T1、T2管的∣UCES∣=1V，电源电压为±9V，负载电阻RL=8Ω，试计算最大输出功率Pom及效率η

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纯电阻电路中，已知UR=URmsin（ωt-π/4）V。试作出电阻两端电压和流过电阻电流的矢量图。

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在室温条件下，点火线圈各线圈的电阻应符合规定，各线圈与外壳间的电阻应为≦∞。（）

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