双极集成电路中的晶体管工作机理依赖于电子或者空穴。
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绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。
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电力电子开关器件的发展经历的四个阶段为：（）、（）、功率 场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。
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简述绝缘栅双极型晶体管IGBT的特点是什么？
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在双极集成电路制造中，为什么要采用外延和埋层工艺？
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为什么GaAs同质结双极型晶体管的性能很难达到或超过硅基BJT的性能？
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双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。
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为克服电容式传感器的边缘效应，可采用减小极板厚度方法和带保护环结构。为消灭寄生电容的影响可采用（）以及采用组合式与集成技术方法。
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双极型功率晶体管与VDMOS的复合器件是（）。
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